7 月 27 日，The Information 援引两名知情人士报道，一家上海国有背景企业已开始量产国产浸没式深紫外（DUV）光刻机，首批设备计划今年交付中芯国际（SMIC）、华虹半导体和长鑫存储（CXMT）。Reuters 随后转述了这一报道。消息传出后，ASML 股价一度下跌 4.6%，Applied Materials、Lam Research、KLA 等美国半导体设备股同步下挫。
据报道，产量目标为 2026 年约 5 台、2027 年约 20 台，规模仍小。ASML 在 2025 年出货 131 台浸没式 DUV 系统，预计 2026 年维持相近水平，并计划 2027 年扩产 30%。在出口管制持续收紧的六年里，国产设备开始从研发测试走向小批量生产，但设备交付、客户验收和稳定量产芯片仍是不同阶段。
制造商尚未公布，项目整合了多家企业团队
The Information 的报道未点名制造商，理由是"敏感性"。据 Tom's Hardware 对报道的转述，该项目整合了多家中国企业的 DUV 团队，包括上海 Yuliangsheng Technology（宇量昇科技），不能据此将整机制造商直接认定为宇量昇。AI Futures Project 梳理的企业背景显示，这家成立约四年的公司与 SiCarrier 有关联；后者成立于 2021 年，据报道与华为工程师团队、深圳国资有密切联系，是中国芯片设备自主研发的一部分。
Yuliangsheng 的浸没式 DUV 设备自 2025 年 9 月起在 SMIC 进行测试。据《金融时报》当时报道，SMIC 的目标是"最早 2027 年"将该设备用于量产。最新的设备生产消息尚不能证明这一客户量产计划已实现。另据 AI Futures Project 对《金融时报》的梳理，SiCarrier 体系还涉及代号为"珠穆朗玛"的 EUV 项目，其与此次 DUV 生产项目的具体关系尚不清楚。
国产设备被类比为早期 ASML 机型，性能仍待披露
浸没式 DUV 光刻机采用 193nm 氟化氩准分子激光，通过超纯水层进一步聚焦光线，将电路图案投射到硅片上。浸没式 DUV 可用于 28nm 级制程，通过多重图案化（multipatterning）可推进至 7nm，甚至尝试 5nm，但工序、套刻误差和良率压力都会增加。这是技术路线的能力范围，不代表此次国产设备已达到这些节点。
Electronics Weekly 和 AI Weekly 的报道将相关国产设备类比为 ASML 2008 年发布的 Twinscan NXT:1950i——这是 ASML 首个 NXT 平台浸没式系统，设计目标为 32nm/22nm 制程。而 ASML 当前主力浸没式机型 NXT:2150i 每小时可处理超过 310 片晶圆，支持 7nm 及更先进节点的商业化量产。国产设备的吞吐量、套刻精度、持续运行能力和良率仍需验证，公开数据尚不足以量化这些差距。
供应链方面，Tom's Hardware 援引信源指出，此次生产设备的大部分组件实现国产化，但部分关键零部件仍从日本进口，本地供应商的交付延迟也限制了今年产能。这些进口部件何时能够替换，尚无明确时间表。
交付规模仍小，ASML 继续增加浸没式设备产能
AI Futures Project 引用的 2024 年数据中，ASML 在浸没式 DUV 市场占据 98.7% 份额。根据其 7 月 15 日发布的 Q2 2026 财报，当季收入 93 亿欧元、净利润 29 亿欧元，均超市场预期；全年收入指引上调至 430-450 亿欧元。CFO Roger Dassen 表示，公司计划将浸没式 DUV 产能在 2027 年提高 30%，并研究在 2028 年再扩 30% 的可能性。
报道称，中国晶圆厂仍保有超过 1,400 台 ASML 各型号光刻机。ASML 的中国市场销售占比需要区分统计口径：2025 年占系统销售额的 33%，Q3 这一比例一度为 42%；公司对 2026 年的预期则是占总销售额约 20%，其中还包含服务收入。国产替代与出口限制会影响中国业务，但这两组比例不能直接计算为同口径降幅。
报道引用的一位半导体行业分析师估算：假设每台中国产 DUV 直接替代一台 ASML 销售，5 台对 ASML 2026 年 EPS 的影响约为 0.38 欧元，仅占预估盈利的 1%；20 台对 2027 年 EPS 的影响约 1.56 欧元。"近期 EPS 冲击微乎其微，但长期终值风险真实存在。"
独立研究机构 AI Futures Project 在 6 月的报告中给出更保守的预测：采用国产浸没式 DUV 设备大规模商业生产 7nm 芯片的历史类比基准时间在 2035 年前后。它衡量的是芯片量产能力，不能与今年生产 5 台设备直接比较；从样机到客户稳定使用，还需要设备商与晶圆厂共同验证和改进。
MATCH 法案拟把设备维修和技术支持纳入管制
国产 DUV 开始生产的消息传出时，美国国会正在推进 MATCH Act（H.R. 8170）。该法案于 4 月 2 日提出，4 月 22 日通过众议院外交事务委员会，参议院版本 S. 4281 同步推进。按当时报道，SMIC、华虹、CXMT、华为和长江存储的相关设施将受到影响。委员会修订文本拟对关键设备出口和相关设施的设备服务建立许可要求，并以原则上拒绝为审核政策；远程和现场服务均在定义内，包括校准、维修、软件更新和技术支持。这些属于待立法落实的要求。
服务受限会影响已有设备的维护，而不只影响新设备采购。缺少原厂校准和技术支持，可能增加停机与精度管理的难度，具体后果仍取决于备件和替代维护能力。MATCH Act 拟将部分管制要求写入法律，由行政部门执行，并对延期或豁免设置条件，并非把执行权限整体移交国会。原报道引用 GovTrack 当时对通过概率的估计为 30%，这类预测也会随立法进程变化。
对 SMIC、华虹和 CXMT 而言，国产 DUV 提供了一个值得验证的备选方向。它能否满足生产需要，还取决于性能、良率和供货能力。一旦设备进入实际产线，运行数据就能帮助设备商改进产品。相比 SMEE 过去二十年在先进前道设备商业化上的困难，这种客户共同验证的机会尤其重要。
EUV 原型还不能制芯，商业化仍有多项难题
浸没式 DUV 并非终点。继续推进 7nm 以下制程，极紫外（EUV）光刻有助于减少多重图案化带来的复杂性。2025 年 12 月，Reuters 披露中国已在深圳一高安保实验室建成 EUV 原型机——整机占满一整层工厂，使用了从二手市场获取的老旧 ASML 部件和从 ASML 供应商处购买的组件，由包括前 ASML 工程师在内的团队组装。该原型仅能产生 EUV 光，距离产出可用芯片仍需多年。
AI Futures Project 按行业发展历史类比，将国产 EUV 用于大规模商业生产 5nm 芯片的时间估在 2038-2044 年；这是其一种基准推算，并非确定时间表。该方法以 1997 年 EUV LLC 联盟成立到 2020 年 TSMC 采用 ASML 设备量产 5nm 芯片的 23 年周期为参照，叠加上中国从 2015 年"中国制造 2025"或 2021 年华为全面介入的起始点。研究者认为，中国可借鉴已有技术路线、引进有经验的人才，并讨论了技术秘密获取与网络间谍活动可能带来的加速；这些因素的实际作用难以量化。光学系统、激光器、EUV 光刻胶等关键环节仍需建立达到相应性能的国产供应能力，分别对标蔡司、TRUMPF 等厂商的成熟产品。
此次浸没式 DUV 生产消息本身不足以确定 EUV 的商业化时间。5 台机器的短期销售规模有限，后续更值得观察的是客户能否完成验收、设备能否稳定运行，以及使用反馈能否帮助供应商改进。这些结果才有助于判断中国设备商在下一个十年的进步速度，以及与 ASML 二十年制造经验的差距如何变化。
据报道，ASML CEO Christophe Fouquet 在 Q2 电话会上说："没有人会来抢我们的饭碗。"消息传出时股价一度下跌 4.6%，反映了市场对潜在竞争的担忧；国产设备能否构成持续竞争，仍要看实际交付与客户使用结果。
