7 月 27 日，The Information 援引两名知情人士报道，一家上海国有背景企业已开始量产国产浸没式深紫外（DUV）光刻机，首批设备计划今年交付中芯国际（SMIC）、华虹半导体和长鑫存储（CXMT）。该报道经 Reuters 独立核实。ASML 股价当日下跌 4.6%，Applied Materials、Lam Research、KLA 等美国半导体设备股同步下挫。
产能有限：2026 年约 5 台，2027 年约 20 台。对比 ASML 2025 年出货 131 台浸没式 DUV 系统、2026 年维持同等规模并计划 2027 年扩产 30%，5 台几乎可以忽略。但这一数字的意义不在于短期替代，而在于中国在出口管制层层加码的六年里，终于建立起一条从光刻机设计、零部件供应到晶圆厂客户的完整国产设备闭环。
谁造了这台机器
The Information 的报道未点名制造商，理由是"敏感性"。但多个交叉信息源指向上海 Yuliangsheng Technology（宇量昇科技）。这家成立仅四年的初创公司是 SiCarrier 体系的一部分——SiCarrier 于 2021 年从华为剥离，由前华为工程师组成，背后有深圳国资的深度参与，旨在打造中国自主的芯片设备生态。
Yuliangsheng 的首台浸没式 DUV 工具自 2025 年 9 月起在 SMIC 进行测试。据《金融时报》当时报道，SMIC 的目标是"最早 2027 年"将该设备投入量产。The Information 的最新报道确认这一时间线正被严格执行。Yuliangsheng 整合了多家中国企业的 DUV 开发团队，其浸没式 DUV 项目代号为"珠穆朗玛"——与华为系芯片设备一贯的山脉命名体系吻合。
技术对标：2008 年的 ASML
浸没式 DUV 光刻机采用 193nm 氟化氩准分子激光，通过超纯水层进一步聚焦光线，将电路图案投射到硅片上。单次曝光可覆盖 28nm 级制程，通过多重图案化（multipatterning）可推进至 7nm，极端情形下能触达 5nm，但良率会显著下降。
Electronics Weekly 和 AI Weekly 的报道均将 Yuliangsheng 的机器类比为 ASML 2008 年发布的 Twinscan NXT:1950i——这是 ASML 首个 NXT 平台浸没式系统，设计目标为 32nm/22nm 制程。而 ASML 当前主力浸没式机型 NXT:2150i 每小时可处理超过 310 片晶圆，支持 7nm 及更先进节点的商业化量产。Yuliangsheng 工具在吞吐量、套刻精度、正常运行时间和良率上仍存在显著差距，但具体性能数据尚未公开。
供应链方面，Tom's Hardware 援引信源指出，Yuliangsheng 机器的大部分组件实现国产化，但部分关键零部件仍从日本进口，本地供应商的交付延迟也限制了今年产能。全面去日本化尚无明确时间表。
5 台对 131 台：数字里的真实差距
ASML 在浸没式 DUV 市场占据 98.7% 份额。根据其 7 月 15 日发布的 Q2 2026 财报，当季收入 93 亿欧元、净利润 29 亿欧元，均超市场预期；全年收入指引上调至 430-450 亿欧元。CFO Roger Dassen 明确表示浸没式 DUV 产能将在 2027 年扩产 30%，2028 年可能再扩 30%。
截至报道当日，中国晶圆厂仍保有超过 1,400 台 ASML 各型号光刻机。ASML 中国区收入占比已从 2025 年的 33%（Q3 一度高达 42%）降至 2026 年的约 20%，下滑主因是北京推动国产替代和美国出口管制收紧。
一位半导体行业分析师估算：假设每台中国产 DUV 直接替代一台 ASML 销售，5 台对 ASML 2026 年 EPS 的影响约为 0.38 欧元，仅占预估盈利的 1%；20 台对 2027 年 EPS 的影响约 1.56 欧元。"近期 EPS 冲击微乎其微，但长期终值风险真实存在。"
独立研究机构 AI Futures Project 在 6 月的报告中给出更保守的预测：中国实现 7nm 级浸没式 DUV 商业化量产的基准时间在 2035 年前后。Yuliangsheng 以 2008 年级别的技术起步、以 5 台试水，与这一预测并不矛盾——从实验室到晶圆厂量产产线之间，本就有数年的工程陡坡。
出口管制的新变量
国产 DUV 量产的时间点恰好撞上美国国会推进 MATCH Act（H.R. 8170）。该法案于 4 月 2 日提出，4 月 22 日通过众议院外交事务委员会，参议院版本 S. 4281 同步推进。法案直接将 SMIC、华虹、CXMT、华为和长江存储指定为"受覆盖设施"，不仅禁止向其出口浸没式 DUV 设备，还禁止对已安装设备的远程或现场服务——包括校准、维修、软件更新和技术支持。
这一服务禁令才是真正的利器。没有 ASML 的持续校准和技术支持，DUV 工具的精度在数月内就会退化，12 到 18 个月内晶圆厂产出质量将显著下降。MATCH Act 还将出口管制权限从行政部门转移到国会立法层面，使未来的总统更难通过行政豁免放松限制。GovTrack 目前评估其立法通过概率为 30%。
但对于 SMIC、华虹和 CXMT 而言，国产 DUV 改变了处境。即使在最保守的场景下——国产工具性能落后、良率不佳、产能爬坡缓慢——它们至少拥有一个"够用"的选项，不再将 ASML 视为单点故障。而一旦国产工具进入实际产线，晶圆厂产生的运营数据将反馈给设备商用于迭代，这种"使用中学习"的飞轮，是 SMEE 过去二十年仅靠实验室研发始终无法启动的。
EUV 仍远在天边
浸没式 DUV 并非终点。7nm 以下制程的真正壁垒是极紫外（EUV）光刻。2025 年 12 月，Reuters 披露中国已在深圳一高安保实验室建成 EUV 原型机——整机占满一整层工厂，使用了从二手市场获取的老旧 ASML 部件和从 ASML 供应商处购买的组件，由包括前 ASML 工程师在内的团队组装。该原型仅能产生 EUV 光，距离产出可用芯片仍需多年。
AI Futures Project 的基准预测将中国商业级 EUV（5nm 产能）的时间锚定在 2038-2044 年。其方法论以 ASML 从 1997 年 EUV LLC 联盟成立到 2020 年 TSMC 5nm 商业量产的 23 年周期为参照，叠加上中国从 2015 年"中国制造 2025"或 2021 年华为全面介入的起始点。中国可以跳过 ASML 探索过的技术死胡同、利用网络间谍活动和人才挖角加速追赶，但关键子部件——蔡司级光学系统、TRUMPF 级激光器、EUV 光刻胶——的国产替代仍需从零建立供应链。
Yuliangsheng 的浸没式 DUV 量产不会改变 EUV 的时间线，但它释放了一个信号：中国半导体设备自主已从政策文件和实验室样机，进入了晶圆厂的真实产线。5 台机器的商业意义有限，但它们带来的产线数据、用户反馈和供应链磨合，将决定中国设备商能否在下一个十年追平 ASML 已经积累了二十年的制造经验。
ASML CEO Christophe Fouquet 在 Q2 电话会上说："没有人会来抢我们的饭碗。"市场以 4.6% 的跌幅给出了自己的判断：饭碗还在，但餐桌上的座位不再只有一个。