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SK 海力士计划投入约 7200 亿美元扩产,AI 内存需求能持续多久?

2026-08-17 / 共 2,193 字

CNBC

8 月 13 日,CNBC 成为首家获准进入 SK 海力士龙仁(Yongin)半导体集群拍摄的媒体。它披露的数字是 7200 亿美元:这家全球最大 HBM(高带宽内存)供应商计划在 2034 年前把晶圆产能增至三倍,建设公司自称的「全球最大内存工厂网络」。过去一年,SK 海力士市值涨了五倍多、突破 1 万亿美元,AI 基建投资正从 GPU 延伸到内存——而内存过去几十年一直被视为低毛利、强周期的大宗商品。

1100 万亿韩元分投三个基地,按阶段推进

CNBC 的「7200 亿美元」需要先拆开。它对应的不是单一项目,而是 SK 海力士 6 月 29 日官宣的中长期投资计划:总计 1100 万亿韩元,其中龙仁集群 600 万亿、清州基地 100 万亿、西南部新集群 400 万亿。按 6 月末约 1543 韩元兑 1 美元的汇率,1100 万亿韩元折合约 7120 亿美元;按 8 月初的汇率则约合 7760 亿美元。这是 SK 海力士一家的资本开支,不包含三星或政府的出资。

「2034 年前产能增至三倍」出自 SK 集团会长崔泰源,他在 6 月接受日经亚洲采访时首次提出这一目标。公司随后把龙仁四座晶圆厂的整体完工时间从原计划的 2045 年提前 12 年到 2033 年。8 月 7 日,董事会又批准了 54.3 万亿韩元(约 383 亿美元)的阶段性投资:35.2 万亿用于龙仁第二座晶圆厂 Y2,19.1 万亿用于清州 NAND 厂 M17。按计划,龙仁首座晶圆厂的洁净室将在 2027 年 2 月投产,Y2 在 2029 年 6 月投产,M17 在 2028 年 12 月投产。

同等容量的 HBM,需要比普通内存更多的晶圆

HBM 的制造方式增加了对晶圆产能的需求。HBM 把多层普通 DRAM 芯片垂直堆叠并用硅通孔互连,为 AI 加速器提供高带宽。SK 海力士在官方说明中解释,TSV(硅通孔)技术增大了裸片尺寸,同一片晶圆能切出的可用裸片更少。因此,生产同等容量的内存,HBM 要比普通 DRAM 消耗更多晶圆,再加上后续堆叠与封装工序,制造复杂度更高。

这直接改变了内存市场的供需结构:HBM 占用的大量 DRAM 产能,正在挤压消费电子用内存的供给。据 CNBC 引述的 Counterpoint Research 数据,今年一季度 SK 海力士占据 HBM 市场 58% 的份额,三星和美光各约 21%。

客户签下长期协议,下一代 HBM 还将更多采用定制设计

采购合同也在变化。历史上内存按现货价买卖,是典型的大宗商品;现在 SK 海力士 7 月披露已与主要客户签下 10 份长期协议。7 月 24 日,英伟达与 SK 集团宣布总额超过 5000 亿美元的合作:SK 电信将建一座 2 吉瓦的 AI 数据中心,采用英伟达 Vera Rubin 芯片和 SK 海力士 HBM4,首期 2027 年投产;英伟达则与 SK 海力士共同开发下一代内存、锁定供应。

崔泰源向 CNBC 展示了一片晶圆,上面有英伟达 CEO 黄仁勋手写的一句话:「Please make more(请多造一些)。」崔泰源自己则说:「这就像一场战争,人人都想买内存芯片,没有它,他们就没法生产自己的 AI 计算和 AI 芯片。」

定制化则进一步改变了内存供应商与客户的关系。崔泰源称,下一代 HBM5 将加速与 AI 处理器联合设计:「英伟达想要自己的定制芯片,谷歌也想要自己的定制 HBM,所以它不再只是商品——这实际改变了内存芯片的地位。」

当前仍缺内存,集中扩产也可能带来过剩

这笔开支最大的风险,是内存行业经典的繁荣—衰退周期,CNBC 的标题本身也点明了这一点。

支持扩产的一方认为,短缺还会持续。SK 海力士 CEO Kwak Noh-jung 7 月 10 日对路透表示,「从供给角度看,明年将是行业历史上最糟糕的一年」,并预计客户需求在 2030 年后仍会高于公司的供给能力。UBS 预计全球 DRAM 行业至少在 2028 年第二季度前保持供不应求;黄仁勋此前也称 AI 内存短缺将持续数年。

另一种担忧是,新增产能可能赶上需求放缓。美光、SK 海力士、三星正同时执行巨额资本开支,有分析担心若 AI 需求增速放缓,2027—2028 年可能面临 HBM 供给过剩。路透报道称,韩国政府五年内产能翻倍的计划已「让一些投资者不安」,担心一旦下行周期来临,企业将暴露在更大风险中。崔泰源自己也承认「价格上涨得太快」。资本市场已经给出警告:SK 海力士美股自 7 月 14 日接近 195 美元的高点回落约 21%,8 月 12 日收于 154.41 美元。

韩国希望五年内将 DRAM 产量翻倍

SK 海力士的扩建并非孤立的公司行为,而是韩国国家战略的一部分。6 月 29 日,总统李在明公布超过 5760 亿美元的芯片投资计划,目标五年内把韩国 DRAM 产量翻倍;三星和 SK 海力士将各投 400 万亿韩元,在西南部各建两座新晶圆厂。SK 海力士在中国有三座工厂,但因美国出口管制无法向中国销售最先进的 HBM。Counterpoint Research 研究总监 MS Hwang 对 CNBC 说:「这是一场竞赛,现在对手是中国,这比世界上任何事都更危险。」

客户订单、经营现金流与水电配套决定扩建进度

这轮扩建能否兑现,取决于三个仍不确定的条件。其一,定制 HBM 能否真正对冲周期——它把产品绑定到特定客户,也意味着 SK 海力士押注的是少数几家巨头,而非分散的市场需求。其二,资金端:公司称将依靠经营现金流、按「需求可见度」分阶段投入;1100 万亿韩元摊到未来多年,年均投入巨大,而它 7 月纳斯达克上市募得的 265 亿美元只相当于该计划的约 3.7%。其三,基础设施:龙仁和西南集群都需要稳定的大规模电力和供水,这部分超出企业自身的控制范围。

来源

  • An inside look at SK Hynix $720 billion AI-fueled buildout that's taking over South Korea · CNBC
  • Explainer: SK hynix's Mid-to-Long-Term Investment Strategy · SK hynix Newsroom
  • SK Hynix board approves $38 bln investments for South Korea's Yongin, Cheongju chip plants · Reuters
  • Nvidia, SK Group unveil $500 billion-plus AI data centers initiative, memory partnership · Reuters
  • SK Hynix CEO sees worst memory shortage in 2027, demand to outstrip supply beyond 2030 · Reuters
  • SK Hynix to triple wafer capacity by 2034: Chairman Chey · Nikkei Asia
  • Korea taps Samsung, SK Hynix in $576 billion AI-chip drive to cement global leadership · Reuters

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